بهمن الکترونی

ضریب برافزایی M توسط داده می‌شود

${\displaystyle M=\frac{1}{1-{\int }_{X_1}^{X_2}\alpha dx}}$

در این‌جا X ₁ و X ₂ موقعیت‌هایی هستند که برافزایی بین آنها اندازه‌گیری می‌شود و α ثابت یونش است. به عبارت دیگر، یک الکترون آزاد در موقعیت X ₁ منجر به ایجاد M الکترون آزاد در موقعیت X ₂ خواهد شد. جایگزینی شیب ولتاژ در این معادله منجر به

${\displaystyle M=\frac{1}{1-|\frac{V}{V_{\mathrm{B}\mathrm{R}}}{|}^n}}$

که V ولتاژ اعمال شده، V_BR ولتاژ شکست است و n مقدار استخراج شده از نظر تجربی بین ۲ تا ۶ است.

• اثرات شکست در نیم‌رساناها بایگانی‌شده در ۲۸ فوریه ۲۰۰۸ توسط Wayback Machine