سلول‌های خورشیدی سلنیم گالیم ایندیم مس

CIGS (همچنین CIGSSe یا CIS) مخفف ترکیبات Cu(In,Ga)(S,Se)2 بوده و یک تکنولوژی برای ساخت سلولهای خورشیدی لایه نازک از عناصر مس، اندیوم، گالیوم،گوگرد و سلنیوم میباشد.

مهم‌ترین نمونه‌های این ترکیبات عبارتند از Cu(In,Ga)Se2 وCuInS2.

این ترکیبات شکل گرفته از نیمه رساناهای گروه‌های یک، سه و پنج جدول تناوبی می‌باشند. به خاطر ساخت خاص بلوری این ترکیبات آنان را بیشتر به نام چالکو پایرایتها(Chalcopyrite) میشناسند. فاصله باند انرژی CuInSe2 کاپر اندیوم دای سلناید 1.07 الکترون ولت میباشد که با افزودن گالیوم می‌توان این باند انرژی را به حد اکر آن یعنی ۱.۶۸ الکترون ولت رساند (CuGaSe2کاپر گالیوم دای سلناید).

پانویس

↑ Study of the effect of gallium grading in Cu(In,Ga)Se2 T.Dullweber, G.Hanna, Wahid Shams-Kolahi, A.Schwartzlander, M. A.Contreras, R.Noufi, and H. W.Schock Thin Solid Films 361-362, 478 (2000)
↑ Control of conduction band offset in wide-gap Cu(In,Ga)Se2 solar cells Takashi Minemoto, Yasuhiro Hashimoto, Wahid Shams-Kolahi, Takuya Satoh, Takayuki Negami, Hideyuki Takakura and Yoshihiro Hamakawa Solar Energy Materials and Solar Cells, Volume 75,Issues 1–2 January 2003, Pages 121-126

[1] Study of the effect of gallium grading in Cu(In,Ga)Se2 T.Dullweber, G.Hanna, Wahid Shams-Kolahi, A.Schwartzlander, M. A.Contreras, R.Noufi, and H. W.Schock Thin Solid Films 361-362, 478 (2000)

[2] Control of conduction band offset in wide-gap Cu(In,Ga)Se2 solar cells Takashi Minemoto, Yasuhiro Hashimoto, Wahid Shams-Kolahi, Takuya Satoh, Takayuki Negami, Hideyuki Takakura and Yoshihiro Hamakawa Solar Energy Materials and Solar Cells, Volume 75,Issues 1–2 January 2003, Pages 121-126