ظرفیت خازنی پارازیتی

زمانی که دو رسانا که دارای ولتاژهای مختلف باشند در نزدیکی یک دیگر قرار بگیرند تحت تأثیر میدان الکتریکی یک دیگر قرار می‌گیرند؛ این رخداد موجب جمع شدن بارهای الکتریکی مخالف در رسانا می‌شود. برای مثال یک القاگر واقعی دارای یک ظرفیت خازنی به صورت موازی است که به دلیل نزدیک بودن به سیم‌پیج درون القاگر به وجود می‌آید. سیم‌پیچ مانند صفحات خازن عمل می‌کند و زمانی که جریان الکتریکی در آن جریان می‌یابد بارهای مخالف در سیم‌پیج جمع شده و ظرفیت خازنی به وجود می‌آید.

وجوداین پدیده در سیستم‌هایی با فرکانس پایین قابل چشم‌پوشی است ولی در سیستم‌هایی که با فرکانس بالا کار می‌کنند باعث به وجود آمدن مشکلات زیادی می‌شود.

سیم‌پیچ‌ها برای فرکانس‌های بالا را اغلب به صورت سبدپیج سیم‌پیچی می‌کنند تا از ظرفیت خازنی پارازیتی آن بکاهند.

اثر خازنی میلر

ظرفیت خازنی اخلال‌گر بین الکترودهای ورودی و خروجی در قطعات تقویت‌کنندهٔ معکوس‌کننده، همانند آنچه بین بیس و کلکتور در ترانزیستورهای دوقطبی به وجود می‌آید، به‌شکل ویژه‌ای مشکل‌زاست چراکه در اینگونه قطعات، این اثر در بهرهٔ قطعه ضرب می‌شود. از این اثر که در سال ۱۹۲۰ میلادی برای اولین بار توسط جان میلتون میلر در لوله‌های خلأ مشاهده شد، با عنوان اثر میلر یاد می‌شود. این اثر در فرکانس بالا از عوامل اصلی کاهش سرعت قطعات فعال نظیر ترانزیستورها و لامپ‌های خلأ است.
در تصویر چگونگی به‌وقوع‌پیوستن اثر میلر نمایش داده شده‌است. با فرض اینکه تقویت‌کننده‌ای معکوس‌کننده و ایده‌آل با بهرهٔ A در شکل نمایش داده شده، و اینکه Z = C ظرفیت خازنی بین ورودی و خروجی آن باشد، ولتاژ خروجی این تقویت‌کننده به شکل ${\displaystyle v_{\text{o}}=-A{v}_{\text{i}}}$

${\displaystyle i_{\text{i}}=C\frac{d}{dt}(v_{\text{i}}-v_{\text{o}})}$

${\displaystyle i_{\text{i}}=C\frac{d}{dt}(v_{\text{i}}+A{v}_{\text{i}})}$

${\displaystyle i_{\text{i}}=C(1+A)\frac{d{v}_{\text{i}}}{dt}}$

بنابراین ظرفیت خازنی در ورودی تقویت‌کننده ${\displaystyle C_{\text{M}}=C(1+A)}$